国家重点研发计划协同“中试线”结硕果

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　29日，记者从全球能源互联网研究院获悉，基于国家重点研发计划“柔性直流输电装备压接型定制化超大功率IGBT关键技术及应用”该院自主研制的4500V/3000A压接型IGBT(绝缘栅双极型晶体管)器件在国家电网特高压直流实验基地通过换流阀对拖试验，并按照张北工程应用工况连续稳定运行24小时。

　　全球能源互联网研究院功率半导体研究所所长吴军民介绍，虽然我国柔性直流输电装备技术已达到世界领先水平，但核心电力电子器件IGBT依旧被跨国公司垄断，价格居高不下，严重制约我国柔性直流输电装备及其相关技术的发展，亟须定制化研究超大功率IGBT器件。为此，该院在于2019年建成投运国内首条6英寸电力系统用大功率电力电子器件中试线，并依托该中试线，基于国家重点研发计划等国家项目，开展电力系统用高压大功率电力电子器件研究。

　　“依托该中试线，国家电网在高压领域已完成3300V/3000A定制化压接型IGBT器件、4500V/3000A压接型IGBT器件、6500V/50A高压碳化硅二极管芯片和6500V/400A 碳化硅 MOSFET模块制备，并首次在国内6英寸超厚碳化硅外延上实现6500V电压等级碳化硅功率器件流片;在中低压领域实现了1200V碳化硅二极管与MOSFET器件的制备，并进入产品化阶段。”全球能源互联网研究院功率半导体研究所副所长金锐说。